Транзистор H25R1202 IHW25N120R2 є транзистором з ізольованим затвором IGBT. Він пропонує високу продуктивність і надійність у широкому діапазоні.
Технічні характеристики:
Максимальний робочий струм: 50А при температурі 20ºC
Номінальний робочий струм: 25А за температури 100ºC
Максимальна робоча напруга: 1200V
Транзистор H25R1202 IHW25N120R2 ідеально підходить для використання в індукційних плитах та інших приладах, що вимагають високих струмів і високої робочої напруги. Він забезпечує ефективну і стабільну роботу, а також має тривалий термін служби.
Найменування: IHW25N120R2
Тип транзистора: IGBT
Маркування: H25R1202
Тип керуючого каналу: N-Channel
Гранично-допустима напруга колектор-емітер |Vce|, V: 1200
Максимальний постійний струм колектора |Ic| A: 50
Аналоги:
IHW25N120R2,
IHW30N120R3,
IXDH30N120,
IXDH30N120AU1,
IXDH30N120D1,
IXGH25N120,
IXSH25N120A,
IXSH35N120A,
IXSH35N140A,
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Країна виробник | Китай |
| Тип монтажу | Вставний |
- Ціна: 98 ₴







