Транзистор H25R1202 IHW25N120R2 является транзистором с изолированным затвором IGBT. Он предлагает высокую производительность и надежность в широком диапазоне.
Технические характеристики:
- Максимальный рабочий ток: 50А при температуре 20ºC
- Номинальный рабочий ток: 25А при температуре 100ºC
- Максимальное рабочее напряжение: 1200V
Транзистор H25R1202 IHW25N120R2 идеально подходит для использования в индукционных плитах и других приборах, требующих высоких токов и высокого рабочего напряжения. Он обеспечивает эффективную и стабильную работу, а также имеет длительный срок службы.
Наименование: IHW25N120R2
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: H25R1202
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| A: 50
Аналоги:
| IHW25N120R2, |
| IHW30N120R3, |
| IXDH30N120, |
| IXDH30N120AU1, |
| IXDH30N120D1, |
| IXGH25N120, |
| IXSH25N120A, |
| IXSH35N120A, |
| IXSH35N140A, |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Тип монтажа | Вставной |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 98 ₴







