Транзистор YGW40N65F1 TO247 40n65, 40n60
115 ₴
Показать оптовые цены- Готово к отправке
- Оптом и в розницу
- Код: YGW40N65F1
Транзистор YGW40N65F1 TO247 40n65, 40n60Готово к отправке
115 ₴
+380 (63) 241-01-69
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор YGW40N65F1 представляет собой IGBT (индуктивно-емкостный биполярный транзистор с изолированным затвором), с максимальным рабочим напряжением 650 В и максимальным рабочим током 80 А при температуре 20ºC.
Ниже приведены основные характеристики транзистора YGW40N65F1:
- Наличие встроенного диода
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25 °C: 80 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 120 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при +25 ºC: 1.8 В
- Пороговое напряжение затвора: 4.9 В
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 188 Вт
- Выходная емкость: 2100 пФ
- Рабочая температура: -40 ... +175 °C
- Тип корпуса: TO247
Транзистор YGW40N65F1 доступен в корпусе TO247.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Тип монтажа | Вставной |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 115 ₴