Транзистор: IXFP4N85 N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 35Вт
130 ₴
- В наличии 10 ед.
- Код: IXFP4N85
Транзистор: IXFP4N85 N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 35ВтВ наличии 10 ед.
130 ₴
+380 (63) 241-01-69
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Тип FET N-канальный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss) - 850 V
Ток непрерывного стока (Id) при 25°C - 3.5A (Tc)
Напряжение питания (макс. Rds вкл., мин. Rds вкл.) - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 2,5 Ом @ 2A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id - 5,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs - 7 нК при 10 В
Vgs (макс.) - ±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds - 247 пФ при 25 В
Рассеиваемая мощность (макс.)150 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Сквозное отверстие
КорпусTO-220-3
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss) - 850 V
Ток непрерывного стока (Id) при 25°C - 3.5A (Tc)
Напряжение питания (макс. Rds вкл., мин. Rds вкл.) - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 2,5 Ом @ 2A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id - 5,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs - 7 нК при 10 В
Vgs (макс.) - ±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds - 247 пФ при 25 В
Рассеиваемая мощность (макс.)150 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Сквозное отверстие
КорпусTO-220-3
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 35 Вт |
| Тип монтажа | Вставной |
| Дополнительные характеристики | |
| Минимальная рабочая температура | -50 град. |
| Максимальная рабочая температура | 155 град. |
Информация для заказа
- Цена: 130 ₴