Транзистор: IXFP4N85 N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 35Вт
130 ₴
- В наявності 10 од.
- Код: IXFP4N85
Транзистор: IXFP4N85 N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 35ВтВ наявності 10 од.
130 ₴
+380 (63) 241-01-69
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Тип FET N-канальний
Технологія МОП-транзистор (оксид металу)
Напруга між стоком і витоком (Vdss) - 850 V
Струм безперервного стоку (Id) за 25°C - 3.5A (Tc)
Напруга живлення (макс. Rds вкл., мін. Rds вкл.) - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 2,5 Ом @ 2A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id - 5,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs - 7 нК за 10 В
Vgs (макс.) - ±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds - 247 пФ за 25 В
Розсіювана потужність (макс.)150 Вт (Tc)
Робоча температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу Наскрізний отвір
КорпусТО-220-3
Технологія МОП-транзистор (оксид металу)
Напруга між стоком і витоком (Vdss) - 850 V
Струм безперервного стоку (Id) за 25°C - 3.5A (Tc)
Напруга живлення (макс. Rds вкл., мін. Rds вкл.) - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 2,5 Ом @ 2A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id - 5,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs - 7 нК за 10 В
Vgs (макс.) - ±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds - 247 пФ за 25 В
Розсіювана потужність (макс.)150 Вт (Tc)
Робоча температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу Наскрізний отвір
КорпусТО-220-3
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Тип монтажу | Вставний |
| Додаткові характеристики | |
| Мінімальна робоча температура | -50 град. |
| Максимальна робоча температура | 155 град. |
Інформація для замовлення
- Ціна: 130 ₴